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NEO半導(dǎo)體已獲得了NAND技術(shù)的專利，具有SLC速度的QLC閃存
日期：2021-08-10 11:40:13
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在2020虛擬閃存峰會期間，NEO半導(dǎo)體首席執(zhí)行官兼創(chuàng)始人Andy Hsu展示了一種新穎的NAND技術(shù)。這是被稱為X-NAND的閃存技術(shù)，其特點是將SLC的速度與QLC的高密度與低價結(jié)合在一起。據(jù)Blocks And Files報道，NEO半導(dǎo)體已獲得了NAND技術(shù)的專利。這家位于圣何塞的公司成立于2012年，目前擁有20多項與內(nèi)存相關(guān)的專利，而且還在不斷研發(fā)中。
自NAND閃存誕生以來，一直沒有停下發(fā)展的腳步，基本上都是追求更高的存儲密度。從最初的SLC一直發(fā)展到現(xiàn)在的QLC，存儲密度有了大幅度提升，但隨著單元中位數(shù)增加，讀寫速度相對更低了，而且耐用性也變差了。
X-NAND技術(shù)旨在擁有單級單元(SLC)NAND閃存的速度，同時提供四級單元(QLC)NAND閃存的容量，并盡可能以最小的尺寸實現(xiàn)這一目標。據(jù)稱，X-NAND的隨機讀寫與寫入比QLC閃存快三倍，連續(xù)讀取快27倍，連續(xù)寫入快14倍。此外芯片的尺寸更小，Die Size只有同樣16 planes的NAND閃存的37%，還可以根據(jù)實際需要縮減芯片的尺寸，功耗也更低。
X-NAND技術(shù)可以與現(xiàn)有的任何NAND閃存配合使用，不需要進行結(jié)構(gòu)更改，沒有額外的制造成本，從而提高了靈活性并簡化了轉(zhuǎn)換速度。未來NEO半導(dǎo)體很可能會將X-NAND技術(shù)授權(quán)給NAND閃存芯片的制造商，包括Kioxia(鎧俠)、美光、三星和SK海力士等。
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版權(quán)說明：上述為轉(zhuǎn)載或編者觀點，不代表知春路知識產(chǎn)權(quán)意見，不承當任何法律責任
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X-NAND技術(shù)旨在擁有單級單元(SLC)NAND閃存的速度，同時提供四級單元(QLC)NAND閃存的容量，并盡可能以最小的尺寸實現(xiàn)這一目標。據(jù)稱，X-NAND的隨機讀寫與寫入比QLC閃存快三倍，連續(xù)讀取快27倍，連續(xù)寫入快14倍。此外芯片的尺寸更小，Die Size只有同樣16 planes的NAND閃存的37%，還可以根據(jù)實際需要縮減芯片的尺寸，功耗也更低。
X-NAND技術(shù)可以與現(xiàn)有的任何NAND閃存配合使用，不需要進行結(jié)構(gòu)更改，沒有額外的制造成本，從而提高了靈活性并簡化了轉(zhuǎn)換速度。未來NEO半導(dǎo)體很可能會將X-NAND技術(shù)授權(quán)給NAND閃存芯片的制造商，包括Kioxia(鎧俠)、美光、三星和SK海力士等。
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